Только для справки
номер части | BSP296NH6327XTSA1 |
LIXINC Part # | BSP296NH6327XTSA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | BSP296NH6327XTSA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | BSP296NH6327XTSA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 1.2A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 600mOhm @ 1.2A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 1.8V @ 100µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 6.7 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 152.7 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 1.8W (Ta) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-SOT223-4 |
упаковка / чехол: | TO-261-4, TO-261AA |
BUK763R4-30B,118 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | 1161 Подробнее о заказе |
|
SCH1435-TL-W | MOSFET N-CH 30V 3A 6SCH | 30928 Подробнее о заказе |
|
IXTP1R6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB | 68642 Подробнее о заказе |
|
SIHFS11N50A-GE3 | MOSFET N-CH 500V 11A TO263 | 894 Подробнее о заказе |
|
DMN90H2D2HCTI | MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB | 931 Подробнее о заказе |
|
IRF8788TRPBF | MOSFET N-CH 30V 24A 8SO | 1446 Подробнее о заказе |
|
IPB60R080P7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK | 1896 Подробнее о заказе |
|
AOB7S60L | MOSFET N-CH 600V 7A TO263 | 961 Подробнее о заказе |
|
PHD101NQ03LT,118 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 | 4861 Подробнее о заказе |
|
RTR030P02HZGTL | MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 | 3344 Подробнее о заказе |
|
AUIRF2907ZS7PTL | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 810 Подробнее о заказе |
|
IPB80N03S4L03 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2816 Подробнее о заказе |
|
AOW20S60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO262 | 835 Подробнее о заказе |
В наличии | 14880 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.93000 | $0.93 |
1000 | $0.45878 | $458.78 |
2000 | $0.41996 | $839.92 |
5000 | $0.39408 | $1970.4 |
10000 | $0.38113 | $3811.3 |
25000 | $0.37408 | $9352 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.