BSP296NH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP296NH6327XTSA1 | BSP296NH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP296NH6327XTSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSP296NH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP296NH6327XTSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSP296NH6327XTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSP296NH6327XTSA1 Технические характеристики

номер части:	BSP296NH6327XTSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.2A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.8V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6.7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	152.7 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.8W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-SOT223-4
упаковка / чехол:	TO-261-4, TO-261AA

BUK763R4-30B,118	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK	1133 Подробнее о заказе
SCH1435-TL-W	MOSFET N-CH 30V 3A 6SCH	30899 Подробнее о заказе
IXTP1R6N50D2	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB	68757 Подробнее о заказе
SIHFS11N50A-GE3	MOSFET N-CH 500V 11A TO263	893 Подробнее о заказе
DMN90H2D2HCTI	MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB	817 Подробнее о заказе
IRF8788TRPBF	MOSFET N-CH 30V 24A 8SO	1420 Подробнее о заказе
IPB60R080P7ATMA1	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK	1874 Подробнее о заказе
AOB7S60L	MOSFET N-CH 600V 7A TO263	940 Подробнее о заказе
PHD101NQ03LT,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	4866 Подробнее о заказе
RTR030P02HZGTL	MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3	3242 Подробнее о заказе
AUIRF2907ZS7PTL	AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL	984 Подробнее о заказе
IPB80N03S4L03	N-CHANNEL POWER MOSFET	2882 Подробнее о заказе
AOW20S60	MOSFET N-CH 600V 20A TO262	993 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015