Только для справки
номер части | IPD079N06L3GBTMA1 |
LIXINC Part # | IPD079N06L3GBTMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPD079N06L3GBTMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPD079N06L3GBTMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 50A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 7.9mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 34µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 29 nC @ 4.5 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4900 pF @ 30 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 79W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
MCPF05N80-BP | MOSFET N-CH 800V 5A TO220F | 1225 Подробнее о заказе |
|
TJ10S04M3L(T6L1,NQ | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK | 808 Подробнее о заказе |
|
IPD65R600C6BTMA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 3750 Подробнее о заказе |
|
IRFB11N50APBF-BE3 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB | 1871 Подробнее о заказе |
|
IRF7490TRPBF | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO | 1279 Подробнее о заказе |
|
FDMS8050 | MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN | 269296981 Подробнее о заказе |
|
SCT3160KW7TL | TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7 | 1781 Подробнее о заказе |
|
SPP80N06S-08 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2949 Подробнее о заказе |
|
BSC120N03LSG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 2982 Подробнее о заказе |
|
FDMC5614P | MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP | 827 Подробнее о заказе |
|
AUIRFS8408-7TRL | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK | 1198 Подробнее о заказе |
|
VN0606L-G | MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 | 1818 Подробнее о заказе |
|
NP36N055HLE-AY | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1944 Подробнее о заказе |
В наличии | 10850 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.15000 | $1.15 |
2500 | $0.50916 | $1272.9 |
5000 | $0.48370 | $2418.5 |
12500 | $0.46552 | $5819 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.