TJ10S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ10S04M3L(T6L1,NQ | TJ10S04M3L(T6L1,NQ Inventory, Best Pricing

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Увеличить

Только для справки

номер части	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
LIXINC Part #	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TJ10S04M3L(T6L1,NQ След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TJ10S04M3L(T6L1,NQ Технические характеристики

номер части:	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	U-MOSVI
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	44mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	+10V, -20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	930 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	27W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DPAK+
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD65R600C6BTMA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	3884 Подробнее о заказе
IRFB11N50APBF-BE3	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB	1818 Подробнее о заказе
IRF7490TRPBF	MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO	1325 Подробнее о заказе
FDMS8050	MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN	269296823 Подробнее о заказе
SCT3160KW7TL	TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7	1768 Подробнее о заказе
SPP80N06S-08	N-CHANNEL POWER MOSFET	2962 Подробнее о заказе
BSC120N03LSG	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	3055 Подробнее о заказе
FDMC5614P	MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP	961 Подробнее о заказе
AUIRFS8408-7TRL	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	1191 Подробнее о заказе
VN0606L-G	MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3	1796 Подробнее о заказе
NP36N055HLE-AY	N-CHANNEL POWER MOSFET	1963 Подробнее о заказе
IRFS7734TRLPBF	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK	1308 Подробнее о заказе
RT1A045APTCR	MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST	3815 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.53900	$0.539
2000	$0.52769	$1055.38

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015