IPA65R650CEXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPA65R650CEXKSA1 | IPA65R650CEXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA65R650CEXKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPA65R650CEXKSA1
LIXINC Part #	IPA65R650CEXKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPA65R650CEXKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPA65R650CEXKSA1 Технические характеристики

номер части:	IPA65R650CEXKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ CE
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 210µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	28W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220 Full Pack
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

2SK2701A	MOSFET N-CH 450V 7A TO220F	829 Подробнее о заказе
TK18A50D(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS	844 Подробнее о заказе
FDB9409L-F085	MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK	836 Подробнее о заказе
RQ3E130BNTB	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT	1160 Подробнее о заказе
DMPH6250S-13	MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23	873 Подробнее о заказе
2N6759	N-CHANNEL POWER MOSFET	904 Подробнее о заказе
NTTFS4C50NTWG	MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN	15821 Подробнее о заказе
SIS444DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8	856 Подробнее о заказе
IRFD310	0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL	4248 Подробнее о заказе
IRFH8316TRPBF	MOSFET N-CH 30V 27A/50A TDSON0	4882 Подробнее о заказе
DMN3053L-13	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23	828 Подробнее о заказе
PSMN025-100D,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4	985 Подробнее о заказе
SUM40012EL-GE3	MOSFET N-CH 40V 150A TO263	1628 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015