Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB
Увеличить

Только для справки

номер части RQ3E130BNTB
LIXINC Part # RQ3E130BNTB
Производитель ROHM Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD RQ3E130BNTB След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RQ3E130BNTB Технические характеристики

номер части:RQ3E130BNTB
Бренд:ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:ROHM Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:13A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:36 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1900 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2W (Ta)
Рабочая Температура:150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-HSMT (3.2x3)
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

RQ3E130BNTB Документы

if RQ3E130BNTB PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMPH6250S-13 DMPH6250S-13 MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 804

Подробнее о заказе
2N6759 2N6759 N-CHANNEL POWER MOSFET 803

Подробнее о заказе
NTTFS4C50NTWG NTTFS4C50NTWG MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN 15974

Подробнее о заказе
SIS444DN-T1-GE3 SIS444DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 980

Подробнее о заказе
IRFD310 IRFD310 0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL 4312

Подробнее о заказе
IRFH8316TRPBF IRFH8316TRPBF MOSFET N-CH 30V 27A/50A TDSON0 4897

Подробнее о заказе
DMN3053L-13 DMN3053L-13 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 847

Подробнее о заказе
PSMN025-100D,118 PSMN025-100D,118 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 977

Подробнее о заказе
SUM40012EL-GE3 SUM40012EL-GE3 MOSFET N-CH 40V 150A TO263 1689

Подробнее о заказе
IXTA75N10P IXTA75N10P MOSFET N-CH 100V 75A TO263 56749

Подробнее о заказе
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R 893

Подробнее о заказе
SQJ416EP-T1_GE3 SQJ416EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8 1659

Подробнее о заказе
FCPF20N60ST FCPF20N60ST 20A, 600V, 0.19OHM, N CHANNEL , 1961

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11055 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.57000$0.57
3000$0.15219$456.57
6000$0.14297$857.82
15000$0.13374$2006.1
30000$0.12913$3873.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top