Только для справки
номер части | RQ3E180BNTB |
LIXINC Part # | RQ3E180BNTB |
Производитель | ROHM Semiconductor |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | RQ3E180BNTB След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | RQ3E180BNTB |
Бренд: | ROHM Semiconductor |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | ROHM Semiconductor |
ряд: | - |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 39A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 3.9mOhm @ 18A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 1mA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 37 nC @ 4.5 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3500 pF @ 15 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 2W (Ta), 20W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | 8-HSMT (3.2x3) |
упаковка / чехол: | 8-PowerVDFN |
IPW60R037CSFDXKSA1 | MOSFET N CH | 1106 Подробнее о заказе |
|
STD65N55F3 | MOSFET N-CH 55V 80A DPAK | 837 Подробнее о заказе |
|
SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | 820 Подробнее о заказе |
|
IRLIZ44GPBF | MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 | 1555 Подробнее о заказе |
|
IPW60R330P6FKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 | 29619 Подробнее о заказе |
|
NDPL180N10BG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1479 Подробнее о заказе |
|
PHK5NQ15T,518 | MOSFET N-CH 150V 5A 8SO | 811 Подробнее о заказе |
|
SUM50010E-GE3 | MOSFET N-CH 60V 150A TO263 | 1488 Подробнее о заказе |
|
BSC040N10NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON | 27068 Подробнее о заказе |
|
IPB60R299CPATMA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 | 19712 Подробнее о заказе |
|
SI2393DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23 | 10570 Подробнее о заказе |
|
SQS401ENW-T1_GE3 | MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 | 3949 Подробнее о заказе |
|
HUF75332P3_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 810 Подробнее о заказе |
В наличии | 11142 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.61000 | $0.61 |
3000 | $0.20540 | $616.2 |
6000 | $0.19215 | $1152.9 |
15000 | $0.18552 | $2782.8 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.