Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB
Увеличить

Только для справки

номер части RQ3E180BNTB
LIXINC Part # RQ3E180BNTB
Производитель ROHM Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD RQ3E180BNTB След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RQ3E180BNTB Технические характеристики

номер части:RQ3E180BNTB
Бренд:ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:ROHM Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:39A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.9mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:37 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3500 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2W (Ta), 20W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-HSMT (3.2x3)
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

RQ3E180BNTB Документы

if RQ3E180BNTB PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPW60R037CSFDXKSA1 IPW60R037CSFDXKSA1 MOSFET N CH 1197

Подробнее о заказе
STD65N55F3 STD65N55F3 MOSFET N-CH 55V 80A DPAK 988

Подробнее о заказе
SIHG24N65E-E3 SIHG24N65E-E3 MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC 807

Подробнее о заказе
IRLIZ44GPBF IRLIZ44GPBF MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 1686

Подробнее о заказе
IPW60R330P6FKSA1 IPW60R330P6FKSA1 MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 29726

Подробнее о заказе
NDPL180N10BG NDPL180N10BG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 1451

Подробнее о заказе
PHK5NQ15T,518 PHK5NQ15T,518 MOSFET N-CH 150V 5A 8SO 921

Подробнее о заказе
SUM50010E-GE3 SUM50010E-GE3 MOSFET N-CH 60V 150A TO263 1647

Подробнее о заказе
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 100A TDSON 27102

Подробнее о заказе
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CPATMA1 MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 19625

Подробнее о заказе
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23 10505

Подробнее о заказе
SQS401ENW-T1_GE3 SQS401ENW-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 3965

Подробнее о заказе
HUF75332P3_NL HUF75332P3_NL N-CHANNEL POWER MOSFET 933

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11177 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.61000$0.61
3000$0.20540$616.2
6000$0.19215$1152.9
15000$0.18552$2782.8

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top