Только для справки
номер части | ISP650P06NMXTSA1 |
LIXINC Part # | ISP650P06NMXTSA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | ISP650P06NMXTSA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Aug 11 - Aug 15 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | ![]() |
Перевозки | ![]() |
номер части: | ISP650P06NMXTSA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | P-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 3.7A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 65mOhm @ 3.7A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 1.037mA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 39 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1600 pF @ 30 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-SOT223-4 |
упаковка / чехол: | TO-261-4, TO-261AA |
![]() |
IXTA24P085T | MOSFET P-CH 85V 24A TO263 | 976 Подробнее о заказе |
![]() |
SFR9014TF | MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK | 14752 Подробнее о заказе |
![]() |
IPP015N04NGXKSA1 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 | 1211 Подробнее о заказе |
![]() |
DMP4013SPSQ-13 | MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060 | 3464 Подробнее о заказе |
![]() |
IRFH8201TRPBF | MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN | 1035 Подробнее о заказе |
![]() |
SISS64DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S | 2582 Подробнее о заказе |
![]() |
CPC3708ZTR | MOSFET N-CH 350V 5MA SOT223 | 1901 Подробнее о заказе |
![]() |
BUK9505-30A,127 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB | 4996 Подробнее о заказе |
![]() |
PSMN070-200P,127 | MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB | 904 Подробнее о заказе |
![]() |
AOTF3N100 | MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F | 946 Подробнее о заказе |
![]() |
IXFN60N80P | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B | 902 Подробнее о заказе |
![]() |
SIS438DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 | 900 Подробнее о заказе |
![]() |
IPD053N06NATMA1 | MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3 | 1323 Подробнее о заказе |
В наличии | 12035 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.50000 | $1.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.