Только для справки
номер части | SISS64DN-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SISS64DN-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SISS64DN-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 11 - Sep 15 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SISS64DN-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® Gen IV |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 40A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 2.1mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 68 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | +20V, -16V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3420 pF @ 15 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 57W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
упаковка / чехол: | PowerPAK® 1212-8S |
CPC3708ZTR | MOSFET N-CH 350V 5MA SOT223 | 1884 Подробнее о заказе |
|
BUK9505-30A,127 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB | 4861 Подробнее о заказе |
|
PSMN070-200P,127 | MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB | 921 Подробнее о заказе |
|
AOTF3N100 | MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F | 1000 Подробнее о заказе |
|
IXFN60N80P | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B | 990 Подробнее о заказе |
|
SIS438DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 | 978 Подробнее о заказе |
|
IPD053N06NATMA1 | MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3 | 1380 Подробнее о заказе |
|
C3M0120065D | 650V 120M SIC MOSFET | 1394 Подробнее о заказе |
|
NTMTS001N06CTXG | MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW | 861 Подробнее о заказе |
|
FQI5P10TU | MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK | 3825 Подробнее о заказе |
|
IXFR36N60P | MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 | 919 Подробнее о заказе |
|
FQPF9N50 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F | 44354 Подробнее о заказе |
|
FCPF380N60 | MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F | 3041863 Подробнее о заказе |
В наличии | 12537 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.45000 | $1.45 |
3000 | $0.65321 | $1959.63 |
6000 | $0.62254 | $3735.24 |
15000 | $0.60064 | $9009.6 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.