Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC159N10LSFGATMA1

BSC159N10LSFGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC159N10LSFGATMA1
LIXINC Part # BSC159N10LSFGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC159N10LSFGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 08 - Jul 12 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC159N10LSFGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC159N10LSFGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:9.4A (Ta), 63A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:15.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 72µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2500 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):114W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC159N10LSFGATMA1 Документы

if BSC159N10LSFGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDFC2P100 FDFC2P100 MOSFET P-CH 20V 3A SUPERSOT6 116920

Подробнее о заказе
5HN01SS-TL-E 5HN01SS-TL-E MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3 999

Подробнее о заказе
FKI06190 FKI06190 MOSFET N-CH 60V 30A TO220F 1000

Подробнее о заказе
IXFP102N15T IXFP102N15T MOSFET N-CH 150V 102A TO220AB 2035

Подробнее о заказе
TK9A65W,S5X TK9A65W,S5X MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS 961

Подробнее о заказе
IRFIBC40G IRFIBC40G MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3 849

Подробнее о заказе
NTMFS4839NHT3G NTMFS4839NHT3G MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN 10911

Подробнее о заказе
EFC4612R-S-TR EFC4612R-S-TR MOSFET N-CH 24V 6A EFCP 842

Подробнее о заказе
IXTY1R4N120PHV IXTY1R4N120PHV MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 944

Подробнее о заказе
NTF3055-160T1 NTF3055-160T1 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 52664

Подробнее о заказе
IXFN90N170SK IXFN90N170SK SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B 949

Подробнее о заказе
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 1809

Подробнее о заказе
SQM120N10-09_GE3 SQM120N10-09_GE3 MOSFET N-CH 100V 120A TO263 948

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10852 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.34015$1.34015
5000$1.32166$6608.3

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top