PMGD8000LN,115 | NXP Semiconductors PMGD8000LN,115 | PMGD8000LN,115 Inventory, Best Pricing

PMGD8000LN,115

Увеличить

Только для справки

номер части	PMGD8000LN,115
LIXINC Part #	PMGD8000LN,115
Производитель	NXP Semiconductors
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	PMGD8000LN,115 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

PMGD8000LN,115 Технические характеристики

номер части:	PMGD8000LN,115
Бренд:	NXP Semiconductors
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	NXP Semiconductors
ряд:	TrenchMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	125mA
rds on (max) @ id, vgs:	8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	0.35nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	18.5pF @ 5V
мощность - макс.:	200mW
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
пакет устройств поставщика:	6-TSSOP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015