EFC6602R-A-TR | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor EFC6602R-A-TR

EFC6602R-A-TR

Увеличить

Только для справки

номер части	EFC6602R-A-TR
LIXINC Part #	EFC6602R-A-TR
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH EFCP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	EFC6602R-A-TR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

EFC6602R-A-TR Технические характеристики

номер части:	EFC6602R-A-TR
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Фет-функция:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
напряжение сток-исток (vdss):	-
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	55nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
мощность - макс.:	2W
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-XFBGA, FCBGA
пакет устройств поставщика:	EFCP2718-6CE-020

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015