SIZ200DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 | SIZ200DT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZ200DT-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIZ200DT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZ200DT-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET N-CH DUAL 30V
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIZ200DT-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIZ200DT-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIZ200DT-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
мощность - макс.:	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerWDFN
пакет устройств поставщика:	8-PowerPair® (3.3x3.3)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015