CSD86330Q3D | Texas Instruments CSD86330Q3D | CSD86330Q3D Inventory, Best Pricing

CSD86330Q3D

Увеличить

Только для справки

номер части	CSD86330Q3D
LIXINC Part #	CSD86330Q3D
Производитель	Texas Instruments
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CSD86330Q3D След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CSD86330Q3D Технические характеристики

номер части:	CSD86330Q3D
Бренд:	Texas Instruments
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Texas Instruments
ряд:	NexFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Half Bridge)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	25V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	20A
rds on (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 14A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6.2nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	920pF @ 12.5V
мощность - макс.:	6W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerLDFN
пакет устройств поставщика:	8-LSON (3.3x3.3)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.01000	$2.01
2500	$0.89932	$2248.3

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015