DTB113ESTP | ROHM Semiconductor DTB113ESTP | DTB113ESTP Inventory, Best Pricing

DTB113ESTP

Увеличить

Только для справки

номер части	DTB113ESTP
LIXINC Part #	DTB113ESTP
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Описание	TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DTB113ESTP След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DTB113ESTP Технические характеристики

номер части:	DTB113ESTP
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	PNP - Pre-Biased
ток - коллектор (ic) (макс.):	500 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50 V
резистор - база (r1):	1 kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	1 kOhms
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	33 @ 50mA, 5V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	500nA
частота - переход:	200 MHz
мощность - макс.:	300 mW
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	SC-72 Formed Leads
пакет устройств поставщика:	SPT

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015