PDTD123YS,126 | NXP Semiconductors PDTD123YS,126 | PDTD123YS,126 Inventory, Best Pricing

PDTD123YS,126

Увеличить

Только для справки

номер части	PDTD123YS,126
LIXINC Part #	PDTD123YS,126
Производитель	NXP Semiconductors
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Описание	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	PDTD123YS,126 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

PDTD123YS,126 Технические характеристики

номер части:	PDTD123YS,126
Бренд:	NXP Semiconductors
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Производитель:	NXP Semiconductors
ряд:	-
упаковка:	Tape & Box (TB)
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN - Pre-Biased
ток - коллектор (ic) (макс.):	500 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50 V
резистор - база (r1):	2.2 kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	10 kOhms
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	70 @ 50mA, 5V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	500nA
частота - переход:	-
мощность - макс.:	500 mW
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
пакет устройств поставщика:	TO-92-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015