BCR183WE6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BCR183WE6327HTSA1 | BCR183WE6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BCR183WE6327HTSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BCR183WE6327HTSA1
LIXINC Part #	BCR183WE6327HTSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Описание	TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BCR183WE6327HTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 03 - Jul 07 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BCR183WE6327HTSA1 Технические характеристики

номер части:	BCR183WE6327HTSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	PNP - Pre-Biased
ток - коллектор (ic) (макс.):	100 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50 V
резистор - база (r1):	10 kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	10 kOhms
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	30 @ 5mA, 5V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
частота - переход:	200 MHz
мощность - макс.:	250 mW
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SC-70, SOT-323
пакет устройств поставщика:	PG-SOT323-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015