FJN3312RTA | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FJN3312RTA

FJN3312RTA

Увеличить

Только для справки

номер части	FJN3312RTA
LIXINC Part #	FJN3312RTA
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Описание	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FJN3312RTA След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 03 - Jul 07 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FJN3312RTA Технические характеристики

номер части:	FJN3312RTA
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Box (TB)
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN - Pre-Biased
ток - коллектор (ic) (макс.):	100 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	40 V
резистор - база (r1):	47 kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	-
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
частота - переход:	250 MHz
мощность - макс.:	300 mW
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
пакет устройств поставщика:	TO-92-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015