EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR | Micron Technology EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR | EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Inventory, Best Pricing

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

Увеличить

Только для справки

номер части	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
LIXINC Part #	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Производитель	Micron Technology
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Технические характеристики

номер части:	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Бренд:	Micron Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Micron Technology
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	DRAM
технологии:	SDRAM - Mobile LPDDR2
объем памяти:	1Gb (64M x 16)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	533 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	-
напряжение - питание:	1.14V ~ 1.95V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 105°C (TC)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	134-VFBGA
пакет устройств поставщика:	134-VFBGA (10x11.5)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015