STG3P2M10N60B | STMicroelectronics STG3P2M10N60B | STG3P2M10N60B Inventory, Best Pricing

STG3P2M10N60B

Увеличить

Только для справки

номер части	STG3P2M10N60B
LIXINC Part #	STG3P2M10N60B
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STG3P2M10N60B След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STG3P2M10N60B Технические характеристики

номер части:	STG3P2M10N60B
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	SEMITOP®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
конфигурация:	Three Phase Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	19 A
мощность - макс.:	56 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 7A
ток - отсечка коллектора (макс.):	10 µA
входная емкость (cis) @ vce:	0.72 nF @ 25 V
вход:	Single Phase Bridge Rectifier
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	SEMITOP®2
пакет устройств поставщика:	SEMITOP®2

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015