APTGFQ25H120T2G | Microsemi APTGFQ25H120T2G | APTGFQ25H120T2G Inventory, Best Pricing

APTGFQ25H120T2G

Увеличить

Только для справки

номер части	APTGFQ25H120T2G
LIXINC Part #	APTGFQ25H120T2G
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APTGFQ25H120T2G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APTGFQ25H120T2G Технические характеристики

номер части:	APTGFQ25H120T2G
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	NPT and Fieldstop
конфигурация:	Full Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	40 A
мощность - макс.:	227 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 25A
ток - отсечка коллектора (макс.):	250 µA
входная емкость (cis) @ vce:	2.02 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	SP2
пакет устройств поставщика:	SP2

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015