PMWD19UN,518 | NXP Semiconductors PMWD19UN,518 | PMWD19UN,518 Inventory, Best Pricing

PMWD19UN,518

Увеличить

Только для справки

номер части	PMWD19UN,518
LIXINC Part #	PMWD19UN,518
Производитель	NXP Semiconductors
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	PMWD19UN,518 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

PMWD19UN,518 Технические характеристики

номер части:	PMWD19UN,518
Бренд:	NXP Semiconductors
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	NXP Semiconductors
ряд:	TrenchMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	5.6A
rds on (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	700mV @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	28nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1478pF @ 10V
мощность - макс.:	2.3W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-TSSOP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015