SI5511DC-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI5511DC-T1-E3 | SI5511DC-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI5511DC-T1-E3

Увеличить

Только для справки

номер части	SI5511DC-T1-E3
LIXINC Part #	SI5511DC-T1-E3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SI5511DC-T1-E3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SI5511DC-T1-E3 Технические характеристики

номер части:	SI5511DC-T1-E3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N and P-Channel
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4A, 3.6A
rds on (max) @ id, vgs:	55mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	7.1nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	435pF @ 15V
мощность - макс.:	3.1W, 2.6W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SMD, Flat Lead
пакет устройств поставщика:	1206-8 ChipFET™

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015