SI4200DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI4200DY-T1-GE3 | SI4200DY-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI4200DY-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SI4200DY-T1-GE3
LIXINC Part #	SI4200DY-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SI4200DY-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SI4200DY-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SI4200DY-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	25V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	8A
rds on (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	12nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	415pF @ 13V
мощность - макс.:	2.8W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-SO

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015