EPC2101ENGRT | EPC EPC2101ENGRT | EPC2101ENGRT Inventory, Best Pricing

EPC2101ENGRT

Увеличить

Только для справки

номер части	EPC2101ENGRT
LIXINC Part #	EPC2101ENGRT
Производитель	EPC
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	EPC2101ENGRT След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

EPC2101ENGRT Технические характеристики

номер части:	EPC2101ENGRT
Бренд:	EPC
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	EPC
ряд:	*
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Discontinued at Digi-Key
тип фета:	2 N-Channel (Half Bridge)
Фет-функция:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	60V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9.5A, 38A
rds on (max) @ id, vgs:	11.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 2mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	2.7nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	300pF @ 30V
мощность - макс.:	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015