RJK0852DPB-00#J5 | Renesas Electronics America RJK0852DPB-00#J5 | RJK0852DPB-00#J5 Inventory, Best Pricing

RJK0852DPB-00#J5

Увеличить

Только для справки

номер части	RJK0852DPB-00#J5
LIXINC Part #	RJK0852DPB-00#J5
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJK0852DPB-00#J5 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJK0852DPB-00#J5 Технические характеристики

номер части:	RJK0852DPB-00#J5
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	30A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4150 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	55W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	LFPAK
упаковка / чехол:	SC-100, SOT-669

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015