SI7703EDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI7703EDN-T1-GE3 | SI7703EDN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI7703EDN-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SI7703EDN-T1-GE3
LIXINC Part #	SI7703EDN-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SI7703EDN-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 10 - Oct 14 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SI7703EDN-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SI7703EDN-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4.3A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	48mOhm @ 6.3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 800µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):	1.3W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® 1212-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® 1212-8

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015