Только для справки
номер части | SIS430DN-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIS430DN-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIS430DN-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SIS430DN-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Obsolete |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 25 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 35A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 5.1mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 40 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1600 pF @ 12.5 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® 1212-8 |
упаковка / чехол: | PowerPAK® 1212-8 |
AON6454A_001 | MOSFET N-CH 150V 8DFN | 809 Подробнее о заказе |
|
IRF6215L-103 | MOSFET P-CH 150V 13A TO262 | 825 Подробнее о заказе |
|
IRFR020TR | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | 886 Подробнее о заказе |
|
SI1472DH-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6 | 864 Подробнее о заказе |
|
IRFR3504ZTRL | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | 893 Подробнее о заказе |
|
STP185N10F3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220 | 816 Подробнее о заказе |
|
FQP630TSTU | MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3 | 852 Подробнее о заказе |
|
IPU80R1K4CEAKMA1 | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 | 800 Подробнее о заказе |
|
GA05JT01-46 | TRANS SJT 100V 9A TO46 | 963 Подробнее о заказе |
|
IRFM210BTF_FP001 | MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4 | 904 Подробнее о заказе |
|
2N7002E-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 | 933 Подробнее о заказе |
|
2SK4209 | MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB | 940 Подробнее о заказе |
|
IRF7523D1TR | MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 | 975 Подробнее о заказе |
В наличии | 10824 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.