TK40P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK40P03M1(T6RSS-Q) | TK40P03M1(T6RSS-Q) Inventory, Best Pricing

TK40P03M1(T6RSS-Q)

Увеличить

Только для справки

номер части	TK40P03M1(T6RSS-Q)
LIXINC Part #	TK40P03M1(T6RSS-Q)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 40A DP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TK40P03M1(T6RSS-Q) След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TK40P03M1(T6RSS-Q) Технические характеристики

номер части:	TK40P03M1(T6RSS-Q)
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	U-MOSVI-H
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	40A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	10.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.3V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	17.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1150 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	-
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DP
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015