CYDM256B16-55BVXI | Rochester Electronics CYDM256B16-55BVXI | CYDM256B16-55BVXI Inventory, Best Pricing

CYDM256B16-55BVXI

Увеличить

Только для справки

номер части	CYDM256B16-55BVXI
LIXINC Part #	CYDM256B16-55BVXI
Производитель	Rochester Electronics
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	DUAL-PORT SRAM, 16KX16, 55NS PBG
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CYDM256B16-55BVXI След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 22 - Oct 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CYDM256B16-55BVXI Технические характеристики

номер части:	CYDM256B16-55BVXI
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	SRAM
технологии:	SRAM - Dual Port, MoBL
объем памяти:	256Kb (16K x 16)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	55ns
время доступа:	55 ns
напряжение - питание:	1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	100-VFBGA
пакет устройств поставщика:	100-VFBGA (6x6)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015