NE5517DR2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NE5517DR2G

NE5517DR2G

Увеличить

Только для справки

номер части	NE5517DR2G
LIXINC Part #	NE5517DR2G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	интегральные схемы › linear - усилители - контрольно-измерительные приборы, операционные усилители, буферные усилители
Описание	IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NE5517DR2G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 21 - Oct 25 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NE5517DR2G Технические характеристики

номер части:	NE5517DR2G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	linear - усилители - контрольно-измерительные приборы, операционные усилители, буферные усилители
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип усилителя:	Transconductance
количество цепей:	2
тип вывода:	Push-Pull
скорость нарастания:	50V/µs
продукт увеличения пропускной способности:	2 MHz
-3дБ пропускная способность:	-
ток - входное смещение:	400 nA
напряжение - входное смещение:	400 µV
ток - питание:	2.6mA
ток - выход/канал:	500 µA
напряжение - питание, одинарное/двойное (±):	4V ~ 44V, ±2V ~ 22V
Рабочая Температура:	0°C ~ 70°C
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	16-SOIC

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015