FZ1200R17HP4B2BOSA2 | IR (Infineon Technologies) FZ1200R17HP4B2BOSA2 | FZ1200R17HP4B2BOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ1200R17HP4B2BOSA2

Увеличить

Только для справки

номер части	FZ1200R17HP4B2BOSA2
LIXINC Part #	FZ1200R17HP4B2BOSA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FZ1200R17HP4B2BOSA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FZ1200R17HP4B2BOSA2 Технические характеристики

номер части:	FZ1200R17HP4B2BOSA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
конфигурация:	Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1700 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	1200 A
мощность - макс.:	7800 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.25V @ 15V, 1200A
ток - отсечка коллектора (макс.):	5 mA
входная емкость (cis) @ vce:	97 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1266.07000	$1266.07
2	$1126.36577	$2252.73154

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015