RN1901FETE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1901FETE85LF

RN1901FETE85LF

Увеличить

Только для справки

номер части	RN1901FETE85LF
LIXINC Part #	RN1901FETE85LF
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы, предварительно смещенные
Описание	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RN1901FETE85LF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 09 - Oct 13 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RN1901FETE85LF Технические характеристики

номер части:	RN1901FETE85LF
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы, предварительно смещенные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ток - коллектор (ic) (макс.):	100mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50V
резистор - база (r1):	4.7kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	4.7kOhms
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	30 @ 10mA, 5V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
частота - переход:	250MHz
мощность - макс.:	100mW
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-563, SOT-666
пакет устройств поставщика:	ES6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015