BZD27B8V2P-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZD27B8V2P-HE3-18 | BZD27B8V2P-HE3-18 Inventory, Best Pricing

BZD27B8V2P-HE3-18

Увеличить

Только для справки

номер части	BZD27B8V2P-HE3-18
LIXINC Part #	BZD27B8V2P-HE3-18
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › диоды - стабилитрон - одиночные
Описание	DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BZD27B8V2P-HE3-18 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BZD27B8V2P-HE3-18 Технические характеристики

номер части:	BZD27B8V2P-HE3-18
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - стабилитрон - одиночные
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	Automotive, AEC-Q101, BZD27B
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
напряжение - стабилитрон (ном.) (vz):	8.2 V
толерантность:	-
мощность - макс.:	800 mW
импеданс (макс.) (zzt):	2 Ohms
ток - обратная утечка @ vr:	10 µA @ 3 V
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	1.2 V @ 200 mA
Рабочая Температура:	-65°C ~ 175°C
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	DO-219AB
пакет устройств поставщика:	DO-219AB (SMF)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.12525	$0.12525
50000	$0.11451	$5725.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015