BFU630F,115 | NXP Semiconductors BFU630F,115 | BFU630F,115 Inventory, Best Pricing

BFU630F,115

Увеличить

Только для справки

номер части	BFU630F,115
LIXINC Part #	BFU630F,115
Производитель	NXP Semiconductors
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BFU630F,115 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BFU630F,115 Технические характеристики

номер части:	BFU630F,115
Бренд:	NXP Semiconductors
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	NXP Semiconductors
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	5.5V
частота - переход:	21GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
прирост:	13dB ~ 22.5dB
мощность - макс.:	200mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	90 @ 5mA, 2V
ток - коллектор (ic) (макс.):	30mA
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-343F
пакет устройств поставщика:	4-DFP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015