BFU730LXZ | NXP Semiconductors BFU730LXZ | BFU730LXZ Inventory, Best Pricing

BFU730LXZ

Увеличить

Только для справки

номер части	BFU730LXZ
LIXINC Part #	BFU730LXZ
Производитель	NXP Semiconductors
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BFU730LXZ След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BFU730LXZ Технические характеристики

номер части:	BFU730LXZ
Бренд:	NXP Semiconductors
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	NXP Semiconductors
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	3V
частота - переход:	53GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	0.75dB @ 6GHz
прирост:	15.8dB
мощность - макс.:	160mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	205 @ 2mA, 3V
ток - коллектор (ic) (макс.):	30mA
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	3-XFDFN
пакет устройств поставщика:	3-DFN1006 (1.0x0.6)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015