MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation MT3S111P(TE12L,F) | MT3S111P(TE12L,F) Inventory, Best Pricing

MT3S111P(TE12L,F)

Увеличить

Только для справки

номер части	MT3S111P(TE12L,F)
LIXINC Part #	MT3S111P(TE12L,F)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MT3S111P(TE12L,F) След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MT3S111P(TE12L,F) Технические характеристики

номер части:	MT3S111P(TE12L,F)
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	6V
частота - переход:	8GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	1.25dB @ 1GHz
прирост:	10.5dB
мощность - макс.:	1W
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
ток - коллектор (ic) (макс.):	100mA
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-243AA
пакет устройств поставщика:	PW-MINI

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015