STGD4M65DF2 | STMicroelectronics STGD4M65DF2 | STGD4M65DF2 Inventory, Best Pricing

STGD4M65DF2

Увеличить

Только для справки

номер части	STGD4M65DF2
LIXINC Part #	STGD4M65DF2
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STGD4M65DF2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 10 - Oct 14 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STGD4M65DF2 Технические характеристики

номер части:	STGD4M65DF2
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	M
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	8 A
ток - коллектор импульсный (icm):	16 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 4A
мощность - макс.:	68 W
переключение энергии:	40µJ (on), 136µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	15.2 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	12ns/86ns
условия испытаний:	400V, 4A, 47Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	133 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	DPAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015