Только для справки
номер части | BSZ22DN20NS3GATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | BSZ22DN20NS3GATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 200 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 7A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 225mOhm @ 3.5A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 13µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 5.6 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 430 pF @ 100 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 34W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TSDSON-8 |
упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
IRFH3707TRPBF | MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN | 1811 Подробнее о заказе |
|
IPB020NE7N3G | IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P | 6366 Подробнее о заказе |
|
SUP70060E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB | 1225 Подробнее о заказе |
|
PSMN1R5-25YL,115 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | 2945 Подробнее о заказе |
|
NVMFS5H663NLWFT1G | MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN | 6937 Подробнее о заказе |
|
HUF75542P3_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 991 Подробнее о заказе |
|
IXTH36N50P | MOSFET N-CH 500V 36A TO247 | 1016 Подробнее о заказе |
|
SQJ459EP-T1_GE3 | MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8 | 828 Подробнее о заказе |
|
2SK4171 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 920 Подробнее о заказе |
|
SIR418DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 | 12490 Подробнее о заказе |
|
NTD5C648NLT4G | MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK | 19975998 Подробнее о заказе |
|
SQP50N06-09L_GE3 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | 1692 Подробнее о заказе |
|
SPP08N80C3XKSA1 | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 | 1164 Подробнее о заказе |
В наличии | 15420 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.08000 | $1.08 |
5000 | $0.43390 | $2169.5 |
10000 | $0.41760 | $4176 |
25000 | $0.41522 | $10380.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.