Только для справки
номер части | IPB017N10N5LFATMA1 |
LIXINC Part # | IPB017N10N5LFATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB017N10N5LFATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB017N10N5LFATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™-5 |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 180A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4.1V @ 270µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 195 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 840 pF @ 50 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 313W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO263-7 |
упаковка / чехол: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
SI3459BDV-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP | 1475 Подробнее о заказе |
|
NTP5D0N15MC | MOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220 | 909 Подробнее о заказе |
|
IRF9Z14PBF-BE3 | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB | 1959 Подробнее о заказе |
|
CSD17551Q3A | CSD17551Q3A 30V N-CHANNEL MOSFET | 53873 Подробнее о заказе |
|
STU8N80K5 | MOSFET N-CH 800V 6A TO251 | 895 Подробнее о заказе |
|
PMXB40UNEZ | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3 | 1435 Подробнее о заказе |
|
SPI21N50C3XKSA1 | MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3 | 808 Подробнее о заказе |
|
MMDF2P01HDR2 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 17902 Подробнее о заказе |
|
STF9HN65M2 | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP | 897 Подробнее о заказе |
|
AUIRF7732S2TR | MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC | 8782 Подробнее о заказе |
|
STL3N10F7 | MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT | 3603 Подробнее о заказе |
|
DMN3016LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252 | 240573487 Подробнее о заказе |
|
IXTQ180N10T | MOSFET N-CH 100V 180A TO3P | 30411 Подробнее о заказе |
В наличии | 10824 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $7.82000 | $7.82 |
1000 | $4.43720 | $4437.2 |
2000 | $4.27287 | $8545.74 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.