Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD50N08S413ATMA1

IPD50N08S413ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD50N08S413ATMA1
LIXINC Part # IPD50N08S413ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD50N08S413ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD50N08S413ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD50N08S413ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:13.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 33µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1711 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):72W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-313
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50N08S413ATMA1 Документы

if IPD50N08S413ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3 6767

Подробнее о заказе
FDPF5N50TYDTU FDPF5N50TYDTU MOSFET N-CH 500V 5A TO220F 52150

Подробнее о заказе
NTMFS4H02NT1G NTMFS4H02NT1G MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN 6998

Подробнее о заказе
BUK9Y14-40B,115 BUK9Y14-40B,115 MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56 1428

Подробнее о заказе
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON 67979

Подробнее о заказе
CSD17382F4 CSD17382F4 MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR 13918

Подробнее о заказе
FDD86567-F085 FDD86567-F085 MOSFET N-CH 60V 100A DPAK 840

Подробнее о заказе
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON 2917

Подробнее о заказе
IPA70R750P7SXKSA1 IPA70R750P7SXKSA1 MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220 1246

Подробнее о заказе
BUK9M14-40EX BUK9M14-40EX MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK33 5496

Подробнее о заказе
IPL60R285P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON 6678

Подробнее о заказе
NTQS6463R2 NTQS6463R2 MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP 6042

Подробнее о заказе
MSC040SMA120S MSC040SMA120S SICFET N-CH 1200V 64A TO268 991

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10840 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.24000$1.24
2500$0.47999$1199.975

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top