Только для справки
номер части | IPB020NE7N3GATMA1 |
LIXINC Part # | IPB020NE7N3GATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB020NE7N3GATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB020NE7N3GATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 75 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 120A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 2mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 3.8V @ 273µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 206 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 14400 pF @ 37.5 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 300W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 | 810 Подробнее о заказе |
|
RJK0301DPB-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | 74016 Подробнее о заказе |
|
AUIRFS8403 | MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK | 8243 Подробнее о заказе |
|
FCD850N80Z | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | 5802 Подробнее о заказе |
|
TSM60NB600CF C0G | MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S | 4497 Подробнее о заказе |
|
STP60NF06L | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB | 873 Подробнее о заказе |
|
FDP045N10A | 120A, 100V, 0.0045OHM, N CHANNEL | 3725 Подробнее о заказе |
|
RFD8P05SM | MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA | 2925 Подробнее о заказе |
|
SIHB22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 1190 Подробнее о заказе |
|
IPD40N03S4L08ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3-11 | 20250 Подробнее о заказе |
|
BSC042N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON | 10556 Подробнее о заказе |
|
SBVS138LT1G | MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23 | 21869 Подробнее о заказе |
|
CSD18502Q5B | MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON | 27817 Подробнее о заказе |
В наличии | 11052 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $5.78000 | $5.78 |
1000 | $3.05144 | $3051.44 |
2000 | $2.89887 | $5797.74 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.