Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD60R600E6

IPD60R600E6
Увеличить

Только для справки

номер части IPD60R600E6
LIXINC Part # IPD60R600E6
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD60R600E6 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD60R600E6 Технические характеристики

номер части:IPD60R600E6
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:CoolMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7.3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:20.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:440 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):63W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD60R600E6 Документы

if IPD60R600E6 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SI7326DN-T1-E3 SI7326DN-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 3110

Подробнее о заказе
NTTFS4C13NTWG NTTFS4C13NTWG MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN 1497720983

Подробнее о заказе
NTE2376 NTE2376 MOSFET N-CHANNEL 200V 30A TO247 950

Подробнее о заказе
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 986

Подробнее о заказе
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 1425

Подробнее о заказе
DMN60H080DS-7 DMN60H080DS-7 MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 343165

Подробнее о заказе
SIHP21N65EF-GE3 SIHP21N65EF-GE3 MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB 1002

Подробнее о заказе
NTF6P02T3G NTF6P02T3G MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 860

Подробнее о заказе
IXTP02N50D IXTP02N50D MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB 5066

Подробнее о заказе
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON 90282

Подробнее о заказе
BSC883N03LSG BSC883N03LSG N-CHANNEL POWER MOSFET 15842

Подробнее о заказе
PH3120L,115-NXP PH3120L,115-NXP POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 820

Подробнее о заказе
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB 22303

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15461 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.52000$0.52
2500$0.52000$1300
5000$0.49711$2485.55
12500$0.48075$6009.375
25000$0.46768$11692
62500$0.45459$28411.875

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top