IPI086N10N3GXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPI086N10N3GXKSA1 | IPI086N10N3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI086N10N3GXKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPI086N10N3GXKSA1
LIXINC Part #	IPI086N10N3GXKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPI086N10N3GXKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPI086N10N3GXKSA1 Технические характеристики

номер части:	IPI086N10N3GXKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 75µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3980 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO262-3
упаковка / чехол:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015