BSC882N03MSGATMA1 | Rochester Electronics BSC882N03MSGATMA1 | BSC882N03MSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC882N03MSGATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSC882N03MSGATMA1
LIXINC Part #	BSC882N03MSGATMA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSC882N03MSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 05 - Oct 09 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSC882N03MSGATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSC882N03MSGATMA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	34 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	22A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4.3 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.51000	$0.51

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015