Только для справки
номер части | IPD088N06N3GBTMA1 |
LIXINC Part # | IPD088N06N3GBTMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPD088N06N3GBTMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPD088N06N3GBTMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 50A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 8.8mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 34µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 48 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3900 pF @ 30 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 71W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
CSD18501Q5A | MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON | 53609 Подробнее о заказе |
|
IPW65R110CFDFKSA1 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 | 1177 Подробнее о заказе |
|
BUK9Y7R2-60E,115 | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 | 1230 Подробнее о заказе |
|
IAUS300N08S5N012ATMA1 | IAUS300N08 - 75V-120V N-CHANNEL | 852 Подробнее о заказе |
|
FDD8882 | MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA | 1040 Подробнее о заказе |
|
IPDD60R080G7XTMA1 | MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10 | 2674 Подробнее о заказе |
|
RM6N800IP | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251 | 892 Подробнее о заказе |
|
STF21N90K5 | MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP | 2403 Подробнее о заказе |
|
APT26M100JCU3 | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | 967 Подробнее о заказе |
|
FDB5800 | MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK | 4876 Подробнее о заказе |
|
IPB80N06S2L-11 | IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT | 10539 Подробнее о заказе |
|
SQJ476EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8 | 3443 Подробнее о заказе |
|
RJK0456DPB-00#J5 | MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK | 921 Подробнее о заказе |
В наличии | 10919 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.23000 | $1.23 |
2500 | $0.54458 | $1361.45 |
5000 | $0.51735 | $2586.75 |
12500 | $0.49790 | $6223.75 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.