Только для справки
номер части | IPA60R190E6XKSA1 |
LIXINC Part # | IPA60R190E6XKSA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPA60R190E6XKSA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPA60R190E6XKSA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | CoolMOS™ |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Not For New Designs |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 20.2A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 630µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 63 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1400 pF @ 100 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 34W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | PG-TO220-FP |
упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
IRLR2705TRPBF | IRLR2705 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 12085 Подробнее о заказе |
|
RZQ045P01TR | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 | 6199 Подробнее о заказе |
|
DMTH4005SPSQ-13 | MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 | 15966 Подробнее о заказе |
|
TJ40S04M3L(T6L1,NQ | MOSFET P-CH 40V 40A DPAK | 944 Подробнее о заказе |
|
IPS80R1K2P7AKMA1 | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3 | 5346 Подробнее о заказе |
|
SQS481ENW-T1_GE3 | MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8 | 4982 Подробнее о заказе |
|
STP10LN80K5 | MOSFET N-CH 800V 8A TO220 | 1813 Подробнее о заказе |
|
SI4436DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 8A 8SO | 958 Подробнее о заказе |
|
AOI7S65 | MOSFET N-CH 650V 7A TO251A | 902 Подробнее о заказе |
|
NTMYS5D3N04CTWG | MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK | 3433 Подробнее о заказе |
|
RCD041N25TL | MOSFET N-CH 250V 4A CPT3 | 1181 Подробнее о заказе |
|
RJK03B9DPA-00#J53 | MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK | 21883 Подробнее о заказе |
|
SQ4050EY-T1_GE3 | MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC | 3273 Подробнее о заказе |
В наличии | 10827 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.92236 | $1.92236 |
500 | $1.92236 | $961.18 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.