Только для справки
номер части | BSB012NE2LXIXUMA1 |
LIXINC Part # | BSB012NE2LXIXUMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | BSB012NE2LXIXUMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 22 - Oct 26 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | BSB012NE2LXIXUMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 25 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 170A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 1.2mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 82 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 5852 pF @ 12 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
упаковка / чехол: | 3-WDSON |
IPB17N25S3100ATMA1 | MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3 | 984 Подробнее о заказе |
|
STS10P3LLH6 | MOSFET P-CH 30V 10A 8SO | 3437 Подробнее о заказе |
|
IRLR014TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | 998 Подробнее о заказе |
|
STP11NK50Z | MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB | 1815 Подробнее о заказе |
|
AUIRF3004WL | MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3 | 838 Подробнее о заказе |
|
APT10090SLLG | MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK | 909 Подробнее о заказе |
|
CTLDM3590 TR | MOSFET N-CH 20V 160MA TLM3D6D8 | 806 Подробнее о заказе |
|
G6N02L | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L | 6898 Подробнее о заказе |
|
QS5U36TR | MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 | 4038 Подробнее о заказе |
|
NDF08N60ZH | MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP | 11344 Подробнее о заказе |
|
AUIRLR3410 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | 3792 Подробнее о заказе |
|
SIRA58DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 7032 Подробнее о заказе |
|
IXTQ160N10T | MOSFET N-CH 100V 160A TO3P | 2321 Подробнее о заказе |
В наличии | 10905 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.20312 | $1.20312 |
5000 | $1.18653 | $5932.65 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.