FDC658AP

FDC658AP
Увеличить

Только для справки

номер части FDC658AP
LIXINC Part # FDC658AP
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDC658AP След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 20 - Oct 24 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDC658AP Технические характеристики

номер части:FDC658AP
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:4A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:8.1 nC @ 5 V
ВГС (макс.):±25V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:470 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):1.6W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:SuperSOT™-6
упаковка / чехол:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPD15N06S2L64ATMA1 IPD15N06S2L64ATMA1 MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 3367

Подробнее о заказе

APT8014L2FLLG APT8014L2FLLG MOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX 896

Подробнее о заказе

AOD600A70R AOD600A70R MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252 3436

Подробнее о заказе

BUK6E2R3-40C,127 BUK6E2R3-40C,127 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 973

Подробнее о заказе

FDS5690 FDS5690 MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC 7711

Подробнее о заказе

NDD60N550U1T4G NDD60N550U1T4G MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK 88080

Подробнее о заказе

RSU002P03T106 RSU002P03T106 MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3 13842

Подробнее о заказе

NTMYS014N06CLTWG NTMYS014N06CLTWG MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK 290012982

Подробнее о заказе

DMP3015LSSQ-13 DMP3015LSSQ-13 MOSFET P-CH 30V 13A 8SO 905

Подробнее о заказе

PMCM650VNE023 PMCM650VNE023 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 831

Подробнее о заказе

IRL1404PBF-INF IRL1404PBF-INF MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB 7736

Подробнее о заказе

FDB8870 FDB8870 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 62538

Подробнее о заказе

IPAW60R180P7SXKSA1 IPAW60R180P7SXKSA1 MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 1673

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10865 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.57000$0.57
3000$0.19314$579.42
6000$0.18067$1084.02
15000$0.16821$2523.15
30000$0.15949$4784.7

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top